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BSL207N-VB一种SOT23-6封装Dual-N+N-Channel场效应管
2025-01-09
### 产品简介
**BSL207N-VB** 是一款高性能双N沟道MOSFET，采用Trench技术制造，封装形式为SOT23-6。该MOSFET设计用于低电压应用，具有20V的漏源电压（VDS）和最大12V的栅源电压（VGS）。其低导通电阻和宽阈值电压范围使其在各种低电压、高开关频率的电路中表现出色，提供高效的开关性能和电流控制能力。
### 参数说明
- **型号**: BSL207N-VB
- **封装**: SOT23-6
- **配置**: 双N沟道
- **漏源电压（VDS）**: 20V
- **栅源电压（VGS）**: ±12V
- **阈值电压（Vth）**: 0.5~1.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**:
- 28mΩ @ VGS = 2.5V
- 22mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏极电流（ID）**: 6A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
**BSL207N-VB** 主要适用于以下领域和模块：
1. **低电压电源管理**: 用于20V电源管理电路，适合DC-DC转换器和电源开关，提供高效能和低功率损耗的开关控制。
2. **开关电路**: 在低电压开关电路中，如电源开关和负载开关，提供稳定的开关性能和低导通电阻，适合用于高频开关应用。
3. **信号处理**: 在信号处理和放大电路中使用，能够提供可靠的开关和控制功能，适合用于低功率电子设备。
4. **便携式电子设备**: 适合用于便携式电子设备和小型电路板中，优化空间利用和电流管理，提高设备的整体性能和效率。
该MOSFET的低导通电阻和高电流处理能力使其在各种低功率和便携式应用中表现优异。
