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AP4961GM-VB一种Dual-P+P沟道SOP8封装MOS管
2024-12-17
### 1. 产品简介
AP4961GM-VB是一款SOP8封装的双P沟道和P沟道场效应管（Dual-P+P-Channel MOSFET）。采用先进的Trench工艺制造，具有优异的电性能和稳定性，适合多种电子应用场合。
### 2. 详细参数说明
- **包装类型**: SOP8
- **结构类型**: 双P沟道和P沟道（Dual-P+P-Channel）
- **耐压（VDS）**: -20V
- **栅极-源极电压（VGS）**: ±20V
- **阈值电压（Vth）**: -1.2V
- **导通电阻（RDS(ON)）**:
- 18mΩ @ VGS=4.5V
- 16mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）**: -8.9A
- **技术特点**: Trench工艺
### 3. 应用示例
AP4961GM-VB适用于以下领域和模块：
- **电源管理**: 可用于负载开关、电源逆变器和DC-DC转换器，在需要处理负载开关和电流反向流的应用中，提供稳定的电能转换和电路保护。
- **电池管理系统（BMS）**: 在电动车辆（EV）和电池组管理系统中，特别是需要负载管理和电流保护的场合。
- **电源逆变器**: 用于开关电源、逆变器和电源管理单元（PMU），能够实现高效能的电能转换和电压调节。
- **汽车电子**: 在汽车电子系统中，如照明控制、车辆动力管理和电子稳定控制单元（ESC）的功率开关应用。
这些示例显示，AP4961GM-VB因其双P沟道和P沟道结构以及优异的电气特性，能够在多种电子设备中提供可靠的功率开关和电路保护功能，适用于对功率密度、效率和可靠性要求高的应用场合。
