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### BSC200P03LS G-VB MOSFET 产品简介

BSC200P03LS G-VB 是一款高性能单P通道MOSFET，封装在DFN8(5x6)外壳中。这款MOSFET 专为需要高电流和高效率的应用而设计，提供了优良的开关性能和可靠性。其最大漏极-源极电压（VDS）为-30V，栅极-源极电压（VGS）容差为±20V，适应各种电源管理和开关应用。BSC200P03LS G-VB 的阈值电压（Vth）为-2.5V，保证在较低栅极电压下能够可靠地开启。其导通电阻（RDS(ON)）在VGS = 4.5V时为12mΩ，在VGS = 10V时为7.8mΩ，提供了高效的功率传输和低功耗。该MOSFET 的连续漏极电流（ID）可达到-60A，适合处理较大的负电流负荷。BSC200P03LS G-VB 采用先进的沟槽技术，优化了其开关性能和总体能效。

### BSC200P03LS G-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装类型:** DFN8(5x6)

- **配置:** 单P通道

- **最大漏极-源极电压 (VDS):** -30V

- **最大栅极-源极电压 (VGS):** ±20V

- **阈值电压 (Vth):** -2.5V

- **导通电阻 (RDS(ON)):**

  - VGS = 4.5V 时为 12mΩ

  - VGS = 10V 时为 7.8mΩ

- **连续漏极电流 (ID):** -60A

- **技术:** 沟槽技术

BSC200P03LS G-VB.pdf

### BSC200P03LS G-VB MOSFET 的应用领域

BSC200P03LS G-VB MOSFET 的高电流处理能力和低导通电阻使其在多个领域中具有出色的应用表现。例如，在电源管理系统中，这款MOSFET 可以用作高效的电源开关和电源调节模块，处理负电流负荷并优化能效。在电动汽车领域，它适合用作电机控制系统和电池管理模块中的开关元件，提供稳定和高效的电流供应。在工业应用中，BSC200P03LS G-VB 可用于高功率电机驱动器和电源转换设备，提供可靠的开关功能，减少能量损耗。此外，该MOSFET 还适用于高效能LED驱动器和其他高功率电子设备，以提升整体性能和能效。