AP2761I-H-VB一种Single-N沟道TO220F封装MOS管
2024-12-12
### 一、AP2761I-H-VB 产品简介
AP2761I-H-VB 是一款单 N 通道 MOSFET，采用了SJ_Multi-EPI技术，封装为TO220F。它具有高达700V的漏源电压承受能力和优异的电气特性，适合于需要处理高电压和高功率的应用场合。
### 二、AP2761I-H-VB 详细参数说明
- **封装类型**：TO220F
- **配置**：单 N 通道
- **漏源电压 (VDS)**：700V
- **栅源电压 (VGS)**：±30V
- **阈值电压 (Vth)**：3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：1100mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：5A
- **技术**：SJ_Multi-EPI
### 三、AP2761I-H-VB 应用领域和模块
1. **电源逆变器**：
由于其高达700V的漏源电压和低导通电阻，在电源逆变器中，AP2761I-H-VB 可以用作开关管，将直流电源转换为交流电源，例如在太阳能逆变器和工业电源系统中应用广泛。
2. **电动车充电器**：
在电动车充电器中，需要处理高电压和高电流的 MOSFET 来实现高效率的充电过程。AP2761I-H-VB 的高电压承受能力和低导通电阻使其成为充电器开关电路的理想选择。
3. **工业控制设备**：
对于需要处理工业电源和高电压信号的控制设备，例如工业机器人控制系统和高压电源开关，AP2761I-H-VB 提供了可靠的电气性能和耐高压能力，确保设备稳定运行。
4. **电源管理模块**：
在需要高电压输出和大电流管理的应用中，例如高压稳压器和高功率开关模块，AP2761I-H-VB 可以作为关键的功率开关元件，保证系统的稳定性和效率。
AP2761I-H-VB 的设计特点和电气参数使其在处理高电压、高功率和高效率要求的各种工业和电源应用中表现出色。
