公司动态详情返回动态列表>
AOI444-VB一款N沟道TO251封装MOSFET应用分析
2024-01-05
AOI444 (VBFB1630)参数说明：N沟道，60V，25A，导通电阻32mΩ@10V，36mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压2.4V，封装：TO251。
应用简介：AOI444适用于中高功率N沟道MOSFET，常见于电源开关、电机控制和逆变器等领域模块。
其高功率承载能力使其在大电流需求场景中表现出色。
优势与适用领域：适用于中高功率应用，如电源开关、逆变器和电机驱动等模块。
高功率承载能力满足大电流需求。
