AON7702A-VB一种Single-N沟道DFN8(3X3)封装MOS管
2024-12-06
### 一、产品简介
**AON7702A-VB**是一款高性能的单N沟道功率MOSFET，采用DFN8（3x3）封装，具有优异的导通电阻和电流能力。其主要特性包括30V的漏源电压（VDS）、±20V的栅源电压（VGS）、以及1.7V的阈值电压（Vth）。该器件采用先进的Trench技术制造，具有极低的导通电阻（RDS(ON)），在VGS为4.5V时为19mΩ，在VGS为10V时为13mΩ。其额定漏极电流（ID）可达30A，适用于多种高效能应用场景。
### 二、详细参数说明
- **封装类型**：DFN8（3x3）
- **配置**：单N沟道
- **漏源电压（VDS）**：30V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：
- 19mΩ @ VGS = 4.5V
- 13mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流（ID）**：30A
- **技术类型**：Trench
### 三、应用领域和模块举例
**AON7702A-VB** MOSFET凭借其高效的电流处理能力和低导通电阻，广泛应用于以下领域和模块：
1. **电源管理模块**：适用于DC-DC转换器和负载开关，通过低导通电阻减少能量损耗，提高转换效率。
2. **电机驱动器**：在电机控制电路中，该MOSFET能有效地控制大电流，从而提供更好的驱动性能和能效。
3. **便携设备**：如笔记本电脑、平板电脑和智能手机等，因其小尺寸封装和高效能，在这些空间受限的设备中能提供优异的电流处理能力。
4. **电池保护电路**：用于锂离子电池组的保护电路，提供可靠的过流和短路保护。
5. **工业自动化**：在工业控制系统中，该器件能够处理高电流并且响应速度快，适合用于自动化设备和机器人的电源管理。
**AON7702A-VB**凭借其优异的性能和广泛的应用领域，是现代高效能电子设备和系统的理想选择。
