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BSO200N03-VB一种SOP8封装Dual-N+N-Channel场效应管
2025-01-09
### 产品简介
BSO200N03-VB是一款双管N沟道MOSFET，封装形式为SOP8。该MOSFET支持30V的漏极-源极耐压和±20V的栅极-源极耐压，具有1.7V的门槛电压。采用Trench技术制造，具有低导通电阻，适合用于高效能的电源开关和电源管理应用。
### 参数说明
- **型号**: BSO200N03-VB
- **封装**: SOP8
- **配置**: 双管N沟道
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: 30V
- **栅极-源极耐压 (VGS)**: ±20V
- **门槛电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 4.5V栅极驱动下: 20mΩ
- 10V栅极驱动下: 16mΩ
- **漏极电流 (ID)**: 8.5A
- **技术**: Trench技术
### 应用领域
BSO200N03-VB适用于以下领域和模块：
1. **电源管理**: 用于电源管理系统中的开关控制，提供高效能的电流切换，降低功率损耗。
2. **DC-DC转换器**: 在DC-DC转换器中作为低侧开关，支持高电流和高效率的电源转换。
3. **电动汽车**: 适用于电动汽车的电池管理系统和电机驱动系统，提供稳定的开关控制。
4. **功率放大器**: 在功率放大器和高功率开关应用中，作为开关元件，提供可靠的性能和高效率。
该MOSFET的低导通电阻和高电流承载能力使其在需要高效能和可靠性的开关应用中表现优异。
