B432-VB一种Single-N沟道TO263封装MOS管
2025-01-07
### B432-VB MOSFET 产品简介
B432-VB 是一款高性能的单N通道MOSFET，封装在TO-263外壳中。该MOSFET设计用于需要强大功率处理和高效开关的应用场合。其最大漏极-源极电压（VDS）为60V，栅极-源极电压（VGS）容差为±20V，提供了多样性和可靠性。器件具有较低的阈值电压（Vth），为1.7V，确保其可以被低电压的栅极信号驱动。此外，它还具有较低的导通电阻（RDS(ON)），在VGS = 4.5V时为35mΩ，在VGS = 10V时为32mΩ，适用于需要高电流的应用，其连续漏极电流（ID）为50A。B432-VB采用先进的沟槽技术，提高了其低导通电阻和高效能。
### B432-VB MOSFET 详细参数说明
- **封装类型:** TO-263
- **配置:** 单N通道
- **最大漏极-源极电压 (VDS):** 60V
- **最大栅极-源极电压 (VGS):** ±20V
- **阈值电压 (Vth):** 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON)):**
- VGS = 4.5V 时为 35mΩ
- VGS = 10V 时为 32mΩ
- **连续漏极电流 (ID):** 50A
- **技术:** 沟槽技术
### B432-VB MOSFET 的应用领域
B432-VB MOSFET 具有较高的应用多样性，因其出色的性能特性，可以应用于多种场景。例如，在汽车工业中，该MOSFET 可以用于电动车辆的动力传动系统，其中高电流处理和高效开关是至关重要的。在消费电子产品中，它适用于笔记本电脑和平板电脑中的电源管理电路，在这些设备中，低导通电阻和高效率对于延长电池寿命至关重要。此外，B432-VB 还可以用于工业电源和电机控制系统，其高电流和高电压处理能力确保在苛刻条件下可靠运行。最后，该MOSFET 可集成到可再生能源系统中，如太阳能逆变器，以提高能量转换效率并减少损耗。
