AP4529GH-VB一种Common Drain-N+P沟道TO252-4L封装MOS管
2024-12-16
### 产品简介
AP4529GH-VB是一款Common Drain双N+P沟道MOSFET，采用Trench技术制造，适用于需要高功率和高效能的电路设计。其TO252-4L封装结构能够有效管理热量，同时提供优良的电气性能，适合于工业和消费电子应用。
### 详细参数说明
- **型号**: AP4529GH-VB
- **封装形式**: TO252-4L
- **配置**: Common Drain双N+P沟道
- **漏源电压 (VDS)**: ±40V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.8V (N沟道), -1.7V (P沟道)
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 14mΩ @ VGS=4.5V (N沟道)
- 14mΩ @ VGS=4.5V (P沟道)
- 16mΩ @ VGS=10V (N沟道)
- 16mΩ @ VGS=10V (P沟道)
- **漏极电流 (ID)**: ±50A
- **技术类型**: Trench
### 应用领域和模块示例
1. **电源管理**:
AP4529GH-VB适用于高功率开关电源和DC-DC转换器，能够有效地控制电压和电流，保证电路的稳定性和效率。
2. **电动工具**:
在电动工具的电机驱动系统中，特别是需要处理高功率和高效能的应用场景，如电动车辆的电机控制和电池管理系统。
3. **工业控制**:
用于工业自动化设备的电机驱动和电源管理，如PLC（可编程逻辑控制器）、电动机控制器和工业机器人。
4. **汽车电子**:
在汽车电子系统中，AP4529GH-VB可以应用于电动汽车的电机控制、电池管理和辅助驱动系统，确保系统的高效能和稳定性。
5. **通信设备**:
适用于通信基站的功率放大器和电源管理模块，支持设备在高频率和高功率运行时的稳定性和效率。
通过其优越的电气特性和可靠的性能，AP4529GH-VB为多种工业和消费电子应用提供了可靠的功率管理解决方案。
