AP4511GH-VB一种Common Drain-N+P沟道TO252-4L封装MOS管
2024-12-16
### 产品简介
AP4511GH-VB是一款双N+P沟道共源放大器MOSFET，采用Trench技术制造，适合于要求高功率和高效能的电路设计。其TO252-4L封装提供了良好的热管理和电气性能，适用于多种应用环境。
### 详细参数说明
- **型号**: AP4511GH-VB
- **封装形式**: TO252-4L
- **配置**: 双N+P沟道共源放大器
- **漏源电压 (VDS)**: ±40V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**:
- 1.8V (N沟道)
- -1.7V (P沟道)
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 14mΩ @ VGS=4.5V (N沟道)
- 14mΩ @ VGS=4.5V (P沟道)
- 16mΩ @ VGS=10V (N沟道)
- 16mΩ @ VGS=10V (P沟道)
- **漏极电流 (ID)**: ±50A (正负电流均支持)
- **技术类型**: Trench
### 应用领域和模块示例
1. **电源模块**:
AP4511GH-VB适用于高效能电源模块的设计，如高频DC-DC转换器和开关稳压器。其低导通电阻和高漏极电流能力使其在高功率应用中表现出色。
2. **电机驱动**:
在电机驱动和电动工具中，AP4511GH-VB可用于电流控制和电源管理电路。其双N+P沟道设计和高电流处理能力确保了电机系统的稳定运行和高效能输出。
3. **汽车电子**:
在汽车电子系统中，AP4511GH-VB可用于电动汽车控制、电池管理和车载电源模块。其能够处理高电流和大功率的特性使其成为电动汽车和混合动力车辆的理想选择。
4. **工业自动化**:
在工业控制和自动化系统中，AP4511GH-VB可用于PLC（可编程逻辑控制器）、伺服驱动和工业电机控制。其稳定的性能和高效的电气特性确保了工业设备的可靠运行和长期稳定性。
5. **通信设备**:
在通信基站和网络设备中，AP4511GH-VB可用于功率放大器和电源管理模块。其高效的功率转换和紧凑的封装设计有助于减小设备体积并提高能效。
通过其优异的电气特性和多功能设计，AP4511GH-VB为多种电子设备和应用提供了高效能的功率管理和控制解决方案。
