AP03N70J-A-HF-VB一种Single-N沟道TO251封装MOS管
2024-12-09
### AP03N70J-A-HF-VB 产品简介
AP03N70J-A-HF-VB是一款单N沟道MOSFET，采用Plannar技术，封装在TO251中。该器件设计用于高压应用，具有较高的额定漏源电压和适中的导通电阻，适合要求高电压和中等电流的应用场合。
### 详细参数说明
- **封装类型**: TO251
- **配置**: 单N沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 650V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **栅阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 4300mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 2A
- **技术**: Plannar
### 应用领域和模块示例
1. **电源转换器**：
- **应用场景**: 适用于需要高电压但低电流的DC-DC转换器和AC-DC转换器。
- **示例**: 工业电源系统中的高压转换器模块。
2. **照明系统**：
- **应用场景**: 在需要高压电源和中等电流驱动的LED照明系统中。
- **示例**: 商业建筑或街道照明中的高压LED驱动电路。
3. **电动汽车充电桩**：
- **应用场景**: 用于电动汽车充电桩中的高压控制电路。
- **示例**: 公共充电站或私人充电设备中的电源转换器模块。
4. **工业控制**：
- **应用场景**: 在工业自动化控制系统中，需要高电压和中等电流的稳定电源。
- **示例**: 工业机械或自动化设备中的电源供应和控制模块。
AP03N70J-A-HF-VB适用于需要高电压和中等电流驱动的多种应用场合，其Plannar技术确保了在高压环境下的稳定性和可靠性。
