BSZ180P03NS3E G-VB一种Single-P沟道DFN8(3X3)封装MOS管
2025-01-10
### 一、BSZ180P03NS3E G-VB 产品简介
BSZ180P03NS3E G-VB 是一款高性能的单P沟道MOSFET，采用DFN8(3X3)封装。该产品利用Trench技术，提供了极低的导通电阻和高电流处理能力，非常适合需要高效率和高可靠性的电源管理和开关应用。BSZ180P03NS3E G-VB 具有优良的热性能和稳定性，能够在复杂的电力系统中稳定工作。
### 二、BSZ180P03NS3E G-VB 详细参数说明
| 参数 | 数值 |
|---|---|
| 封装 | DFN8(3X3) |
| 配置 | 单P沟道 |
| VDS（漏源极电压） | -30V |
| VGS（栅源极电压） | 20（±V） |
| Vth（阈值电压） | -2.5V |
| RDS(ON) @ VGS=4.5V | 18mΩ |
| RDS(ON) @ VGS=10V | 11mΩ |
| ID（漏极电流） | -45A |
| 技术 | Trench |
### 三、应用领域和模块示例
1. **电源管理系统**：
在电源管理系统中，BSZ180P03NS3E G-VB 适用于高效的负载开关和电源分配。其低导通电阻和高电流能力使其成为DC-DC转换器、功率分配单元以及其他电源管理应用的理想选择，有助于降低功率损耗，提高系统效率。
2. **电池保护电路**：
该MOSFET 可在电池管理和保护电路中使用，尤其适用于锂离子电池的充放电保护。由于其低导通电阻和高电流处理能力，它能有效防止过流和短路，从而保护电池和延长其寿命。
3. **汽车电子系统**：
在汽车电子系统中，如电池控制模块和电动窗口控制器，BSZ180P03NS3E G-VB 的高电流处理能力和稳定性非常关键。它能在严苛的环境条件下保持可靠的性能，确保汽车电子系统的稳定运行。
4. **消费电子产品**：
在消费电子产品中，特别是那些需要高效率电源管理的设备，如智能手机和笔记本电脑，该MOSFET 可以用于电池供电电路和电源开关，以提高功率转换效率和减少功率损耗。
5. **工业应用**：
BSZ180P03NS3E G-VB 还适用于工业自动化设备中的开关电源和电机控制。其高电流和低导通电阻特性使其能够应对工业环境中的高功率需求，确保设备的稳定运行和高效能。
BSZ180P03NS3E G-VB 凭借其优越的技术规格和可靠的性能，在各种电力和电子应用中扮演着关键角色，帮助提升整体系统的效率和可靠性。
