BSO4804-VB一种SOP8封装Dual-N+N-Channel场效应管
2025-01-09
### BSO4804-VB MOSFET 产品简介
BSO4804-VB 是一款高性能双N通道MOSFET，封装在SOP8外壳中。该MOSFET 设计用于高效能和紧凑封装的应用场合。其最大漏极-源极电压（VDS）为30V，栅极-源极电压（VGS）容差为±20V，适用于各种电源管理和开关应用。BSO4804-VB 的阈值电压（Vth）为1.7V，确保在较低栅极电压下能够可靠启动。其导通电阻（RDS(ON)）在VGS = 4.5V 时为20mΩ，在VGS = 10V 时为16mΩ，提供了良好的功率传输和低功耗。该MOSFET 的连续漏极电流（ID）为8.5A，适合处理中等电流负荷。BSO4804-VB 采用先进的沟槽技术，优化了其开关性能和整体能效。
### BSO4804-VB MOSFET 详细参数说明
- **封装类型:** SOP8
- **配置:** 双N通道
- **最大漏极-源极电压 (VDS):** 30V
- **最大栅极-源极电压 (VGS):** ±20V
- **阈值电压 (Vth):** 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON)):**
- VGS = 4.5V 时为 20mΩ
- VGS = 10V 时为 16mΩ
- **连续漏极电流 (ID):** 8.5A
- **技术:** 沟槽技术
### BSO4804-VB MOSFET 的应用领域
BSO4804-VB MOSFET 的双N通道配置和低导通电阻使其在多个领域中具有优异的应用表现。例如，在电源管理系统中，这款MOSFET 可以用作高效的电源开关和电源调节模块，处理中等电流负荷并优化能效。在消费电子产品中，如智能手机和笔记本电脑，BSO4804-VB 可用于电池管理和电源分配模块，提供高效和稳定的电流供应。在通信设备中，它可以用于信号开关和放大器，因其低导通电阻和高效开关性能能够显著提升设备的性能。此外，该MOSFET 也适合用于高效能LED驱动器和其他中功率电子设备，提升整体性能和功率效率。
