公司动态详情返回动态列表>
AOTF7N70-VB一种Single-N沟道TO220F封装MOS管
2024-12-09
### AOTF7N70-VB 产品简介
AOTF7N70-VB是一款单N沟道MOSFET，采用Plannar技术，封装为TO220F。具备高达700V的漏源极电压和7A的连续漏极电流能力，适用于对高电压要求较高的低功率应用场合。
### AOTF7N70-VB 详细参数说明
- **封装类型**：TO220F
- **配置**：单N沟道
- **漏源极电压（VDS）**：700V
- **栅源极电压（VGS）**：30（±V）
- **阈值电压（Vth）**：3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：
- 1000mΩ @ VGS = 4.5V
- 800mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流（ID）**：7A
- **技术类型**：Plannar
### 应用领域和模块举例
AOTF7N70-VB适用于以下领域和模块，为高电压和低功率需求提供可靠的解决方案：
1. **电源管理**：
在需要高电压转换的低功率电源管理中，如电源逆变器、小型UPS系统等，AOTF7N70-VB可以作为开关电源的控制器件，提供稳定的电能转换效率。
2. **照明应用**：
在需要高电压驱动的照明系统中，如室外照明、建筑物照明等，AOTF7N70-VB可以作为LED驱动电路的开关装置，确保高效的电力传输和管理。
3. **工业控制**：
在工业自动化和控制系统中，AOTF7N70-VB可用于开关电源和电动机控制，保证设备在高电压环境下的可靠性和稳定性运行。
尽管AOTF7N70-VB的导通电阻相对较高，但其高电压容忍度和适中的电流能力使其在特定的高电压、低功率应用场合下仍然具备重要的应用价值。
