AOT5N50-VB一种Single-N沟道TO220封装MOS管
2024-12-07
### AOT5N50-VB 产品简介
**型号：** AOT5N50-VB
**封装：** TO220
**配置：** 单N沟道MOSFET
**技术：** 平面技术（Plannar）
AOT5N50-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用平面技术设计，适用于高压应用场合。其TO220封装设计使其在高功率环境中表现出色，并且易于安装和散热。
### 详细参数说明
- **漏极-源极电压（VDS）：** 600V
- **栅极-源极电压（VGS）：** ±30V
- **阈值电压（Vth）：** 3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）：**
- 4.5V时：1070mΩ
- 10V时：780mΩ
- **漏极电流（ID）：** 8A
- **技术：** 平面技术（Plannar）
### 应用领域和模块举例
1. **电源转换器：** AOT5N50-VB适用于电源转换器中的高压开关应用，其600V的漏极-源极电压和能够处理8A的漏极电流使其成为可靠的选择，用于工业设备和电力电子应用中的高效能源转换。
2. **照明系统：** 在照明系统中，特别是需要处理高电压和电流的LED驱动电路中，AOT5N50-VB的高电压承受能力和低导通电阻有助于提升系统效率和稳定性。
3. **电动工具：** 该MOSFET可用于电动工具中的电机驱动和电源控制，其能够处理8A的电流和高压特性确保了工具的高效运行和持久性能。
4. **UPS系统：** 在不间断电源（UPS）系统中，AOT5N50-VB可用于开关电源单元（SMPS），其高压和高电流能力保证了UPS系统在电网故障时的可靠运行和电力转换效率。
5. **工业自动化设备：** 该MOSFET适用于各种工业自动化设备中的电源控制和驱动应用，包括变频器、机器人控制和自动化生产线等，确保设备的稳定性和效率。
AOT5N50-VB MOSFET因其高压承受能力和稳定的性能，在多个领域和应用中都能发挥重要作用，为电子系统提供了可靠的功率开关解决方案。
