AP9487GM-VB一种Single-N沟道SOP8封装MOS管
2024-12-21
### AP9487GM-VB 产品简介
AP9487GM-VB 是一款高性能单N沟道MOSFET，采用先进的Trench工艺制造，封装形式为SOP8。该器件具有高漏源极电压、中等导通电阻和适中的电流能力，适用于需要稳定性和可靠性的中功率功率开关和控制应用。
### AP9487GM-VB 详细参数说明
- **封装形式**: SOP8
- **配置**: 单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 100V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 128mΩ @ VGS=4.5V
- 124mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 4.2A
- **技术**: Trench
### AP9487GM-VB 应用领域和模块示例
AP9487GM-VB 由于其高漏源极电压和适中的导通电阻，适用于以下领域和模块：
1. **电源管理**：适用于中功率的DC-DC转换器和AC-DC转换器，如工业自动化设备、服务器电源管理和网络通信设备中的电源控制模块。
2. **电动工具**：用于中功率电动工具，如电动钻机、电动工业设备和电动车辆的电池管理和功率控制。
3. **工业控制**：在工业控制系统中，用于中功率电机控制、变频器和电源分配模块，确保设备的稳定运行和高效能的能量转换。
4. **汽车电子**：在汽车电子系统中，可用于车载电子模块的功率开关和电池管理，提供稳定的电力输出和高效的能源转换。
5. **通信设备**：在通信基站和网络设备中，用于功率放大器的控制和射频信号处理电路的电源管理，保证通信设备的稳定运行和高效能的数据传输。
AP9487GM-VB 的特性使其适用于多种中功率功率开关和控制应用，能够提升系统的稳定性和效率，满足各种工业和消费电子设备对高性能MOSFET的需求。
