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BSO130N03MS G-VB一种SOP8封装Single-N-Channel场效应管
2025-01-09
**产品简介：**
BSO130N03MS G-VB 是一款高效能 N-Channel MOSFET，封装为 SOP8，适用于中低电压高电流应用。其 VDS（漏极-源极最大电压）为 30V，最大栅源极电压 VGS 为 ±20V，漏极电流 ID 达到 13A。该 MOSFET 采用沟槽型工艺技术，具有低导通电阻（RDS(ON) 为 11mΩ 在 VGS=4.5V 时，8mΩ 在 VGS=10V 时），能够提供优异的开关性能和高效能。
**详细参数说明：**
- **封装**: SOP8
- **类型**: 单极性 N-Channel MOSFET
- **漏源极电压（VDS）**: 30V
- **栅源极电压（VGS）**: ±20V
- **阈值电压（Vth）**: 1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**: 11mΩ @ VGS = 4.5V；8mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流（ID）**: 13A
- **技术**: 沟槽型工艺
**应用领域和模块示例：**
1. **电源开关**：在高效的电源开关应用中，BSO130N03MS G-VB 的低 RDS(ON) 有助于减少能量损耗，提高电源转换效率，适合用于各种电源管理和开关电路。
2. **电动汽车**：在电动汽车的电池管理系统和电机驱动模块中，该 MOSFET 可处理高电流负载，确保系统的可靠性和高效性。
3. **工业设备**：在工业控制和负载开关系统中，BSO130N03MS G-VB 的高电流承受能力和低导通电阻使其适合用于需要高效能和稳定性的应用。
