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BSC052N03S G-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
### 产品简介
BSC052N03S G-VB 是一款高性能单通道 N 沟道 MOSFET，采用 DFN8 (5x6) 封装，专为低电压、高电流应用设计。其具有 30V 的漏极-源极耐压、±20V 的栅极-源极耐压，以及 1.7V 的栅极阈值电压。该 MOSFET 在 4.5V 的栅极驱动电压下，导通电阻为 5mΩ，在 10V 的栅极驱动电压下则为 3mΩ。它支持最大 120A 的漏极电流，采用 Trench 技术制造，提供了出色的开关性能和高效能。
### 参数说明
- **型号**: BSC052N03S G-VB
- **封装**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 单通道 N 沟道 MOSFET
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: 30V
- **栅极-源极耐压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 5mΩ @ VGS = 4.5V
- 3mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 120A
- **技术**: Trench 技术
### 应用领域
BSC052N03S G-VB 适用于以下领域和模块：
- **电源管理**: 在高效的 DC-DC 转换器中用作开关元件，确保低功耗和高效能。
- **电动汽车**: 作为动力系统中的高电流开关元件，支持电池和电机之间的能量传输。
- **计算机和服务器**: 用于电源模块，处理高负载电流，确保稳定电源分配。
- **工业控制**: 在高电流负载应用中提供可靠的开关功能，保证设备的稳定运行和长寿命。
