BUK444-450B-VB一种Single-N沟道TO220F封装MOS管
2025-01-10
### 一、BUK444-450B-VB 产品简介
BUK444-450B-VB 是一款高压N沟道MOSFET，采用TO220F封装，使用Plannar技术制造。这款MOSFET 设计用于承受高达650V的漏源极电压，并能处理高达4A的漏极电流。尽管其导通电阻相对较高（2560mΩ），它在高电压环境下表现出色，适合用于需要高电压耐受性和稳定性的应用。
### 二、BUK444-450B-VB 详细参数说明
- **型号**: BUK444-450B-VB
- **封装**: TO220F
- **配置**: 单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 650V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 2560mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 4A
- **技术**: Plannar
### 三、BUK444-450B-VB 适用领域和模块举例
BUK444-450B-VB 的高电压承受能力和相对较高的导通电阻使其在以下领域和模块中得到应用：
1. **高压电源管理**: 由于其能够承受高达650V的电压，BUK444-450B-VB 适用于高压电源管理系统，如高压DC-DC转换器和AC-DC电源转换器。这些系统需要高电压耐受性来确保稳定运行，并能够处理较高的电压负载。
2. **功率开关设备**: 在各种功率开关设备中，如开关电源和功率放大器，BUK444-450B-VB 的高电压耐受性使其能够应对高电压负载，尽管其导通电阻相对较高，但仍能提供稳定的开关性能。
3. **逆变器系统**: 在逆变器系统，如太阳能逆变器和高压直流输电系统中，该MOSFET 的高电压能力使其能够处理高电压输入，确保系统的稳定性和高效性。
4. **电力电子变换器**: 在电力电子变换器应用中，如电动汽车充电器和高压直流电源，该MOSFET 能够在高电压条件下工作，尽管其导通电阻较高，但在高电压场景中提供了可靠的性能。
BUK444-450B-VB 的高电压耐受性使其适合在需要处理高电压环境的应用中使用，能够在各种高压电力电子系统中提供稳定的开关性能。
