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B20S60-VB一种TO263封装Single-N-Channel场效应管
2025-01-07
### 产品简介
B20S60-VB 是一款高耐压单通道 N 沟道 MOSFET，封装类型为 TO263。该 MOSFET 设计能够承受高达 650V 的漏源电压，并且支持最大 20A 的漏极电流。采用 SJ_Multi-EPI 技术，具有较低的导通电阻，适用于高电压和高功率应用。
### 详细参数说明
- **型号**: B20S60-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单通道 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 650V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 160mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 20A
- **技术**: SJ_Multi-EPI 工艺
### 适用领域和模块
B20S60-VB 适用于以下领域：
1. **电力转换**: 用于高电压开关电源和逆变器中，提供高效的电源转换和稳定的电流调节。
2. **电力电子**: 在高功率电力设备中，如电源逆变器和功率调节器，处理高功率应用的电源开关。
3. **工业控制**: 适合用于高压工业自动化设备中，例如电机驱动系统和电力控制系统，确保稳定可靠的功率开关功能。
4. **家电设备**: 在高电压家电和照明系统中，如空调和高压灯具，提供高效能和安全的电源管理。
