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FQD30N06-VB一款N沟道TO252封装MOSFET应用分析
2024-02-22
型号: FQD30N06-VB
丝印: VBE1638
品牌: VBsemi
参数:
- N沟道
- 额定电压：60V
- 最大电流：45A
- 开通电阻：24mΩ @ 10V, 28mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压：1.8V (Vth)
- 封装：TO252
应用简介:
FQD30N06-VB是一款高性能N沟道功率MOSFET，适用于广泛的高电压和高电流应用领域。该器件可以在以下应用模块中发挥作用：
1. 电源管理模块: FQD30N06-VB可用于开关稳压电源、电源逆变器、电池充电器等，以提供高效的电源管理和电池保护。
2. 电机控制模块: 适用于高功率电机驱动，如电动汽车电机、工业电机和无刷直流电机。
3. 汽车电子: 可用于汽车电子模块，包括发动机控制、电池管理、电源分配等。
4. 工业设备: 在工业自动化和控制系统中，可以用于高功率电路的开关和控制。
FQD30N06-VB因其高电流和电压承受能力，以及低导通电阻，适用于需要高功率开关和电源管理的领域，提供高效、可靠的电源和电机控制解决方案。
