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CMD5950-VB一款P沟道TO252封装MOSFET应用分析
2024-01-06
CMD5950详细参数说明：
- 极性：P沟道
- 额定电压：-100V
- 额定电流：-40A
- 导通电阻：33mΩ @ 10V, 36mΩ @ 4.5V
- 门源电压：20Vgs (±V)
- 阈值电压：-1.92Vth (V)
- 封装类型：TO252
应用简介：
CMD5950是一款P沟道MOSFET，具有负的额定电压和额定电流，适合在各种电源管理和功率放大器应用中使用。它的导通电阻较低且具有较高的性能特性，能够提供可靠而高效的电流开关功能。
该器件通过控制20Vgs (±V)的门源电压，实现开关管的导通和截止，实现电流的控制和开关的状态转换。它的导通电阻较低能够降低功率损耗，提高系统效率。
CMD5950采用TO252封装，封装适中，适合在各种电路板和模块中使用。
该器件广泛应用于电源开关、电源逆变器、电机驱动器等领域。由于其负的额定电压和额定电流，它适用于需要控制和开关负电压的电路应用。在这些领域中，CMD5950能够提供可靠的功率开关控制，实现高效能的电流传输和开关操作。
总之，CMD5950是一款负极性的P沟道MOSFET，适用于电源管理和功率放大器的各种应用模块中，特别是在电源开关、电机驱动器等领域以及需要控制和开关负电压的电路场景中。
