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AP60N03GJ-VB一种Single-N沟道TO251封装MOS管
2024-12-17
### 1. 产品简介详细：
AP60N03GJ-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 TO251 封装，适用于需要高电流和低导通电阻的功率开关应用。该器件结合了高 VDS（30V）和极低的 RDS(ON)，采用先进的 Trench 技术，适合要求高效能和高可靠性的电源系统设计。
### 2. 详细的参数说明：
- **封装类型**: TO251
- **通道类型**: 单 N 沟道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**: 30V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通时的静态电阻 (RDS(ON))**:
- @ VGS = 4.5V: 4.5mΩ
- @ VGS = 10V: 3.5mΩ
- **漏极电流 (ID)**: 最大值 100A
- **技术特点**: Trench 结构，提供优异的开关特性和热稳定性
### 3. 应用示例：
- **电源模块**: AP60N03GJ-VB 可以用于电源模块中的高电流开关，例如服务器电源单元和电源管理模块，确保高效能和可靠性。
- **电动工具**: 在电动工具和家用电器的电源开关系统中，该器件能够提供足够的电流承载能力和低导通电阻，保证设备的高性能和长寿命。
- **电动汽车**: 在电动汽车的电池管理和驱动系统中，AP60N03GJ-VB 可以用作功率开关器件，支持高效率的能量转换和快速充电。
这些示例展示了 AP60N03GJ-VB 在不同领域和模块中的应用潜力，体现了其在高电流功率开关和电源管理中的重要性和实用性。
