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SM4307PSKPC-TRG-VB一款P沟道DFN8(5X6)封装MOSFET应用分析
2024-02-22
型号：SM4307PSKPC-TRG-VB
丝印：VBQA2309
品牌：VBsemi
参数：
- 沟道类型：P沟道
- 额定电压：-30V
- 最大持续电流：-60A
- 静态导通电阻 (RDS(ON))：7.8mΩ @ 10V, 9.2mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压 (Vth)：-1.5~-2.5V
- 封装：DFN8(5X6)
详细参数说明：
SM4307PSKPC-TRG-VB 是一款 P 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件，具有-30V 的额定电压和最大持续电流为-60A。它的 RDS(ON) 在不同电压下表现出色良好，分别为 7.8mΩ @ 10V 和 9.2mΩ @ 4.5V。阈值电压 (Vth) 的范围为-1.5V 到-2.5V。
应用简介：
SM4307PSKPC-TRG-VB 通常用于电源管理和开关控制应用中，特别适用于需要 P 沟道 MOSFET 的电路。由于其 P 沟道特性，它可用于反相开关和负电源电路。DFN8(5X6) 封装使其易于集成到小型电子设备中。这种型号的 MOSFET 可以在各种领域的模块中使用，如电源逆变器、电源开关、电池保护电路、移动设备和充电管理，以及其他需要负电源开关的应用。它的低导通电阻和高电流承受能力使其在高效率、低功耗应用中非常有用。
