B418L-VB一种Single-N沟道TO263封装MOS管
2025-01-07
### 产品简介
**B418L-VB** 是一款高性能单极性N通道场效应晶体管，封装形式为TO263。这款MOSFET采用Trench技术，能够处理高达100V的漏源电压和100A的电流。其低导通电阻和宽栅源电压范围使其非常适合在高功率和高效率应用中使用，特别是在需要稳定开关性能的场合。
### 详细参数说明
- **型号**: B418L-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单极N通道
- **漏源电压 (V_DS)**: 100V
- **栅源电压 (V_GS)**: ±20V
- **阈值电压 (V_th)**: 2.5V
- **导通电阻 (R_DS(on))**:
- 23mΩ (V_GS = 4.5V)
- 10mΩ (V_GS = 10V)
- **最大漏电流 (I_D)**: 100A
- **技术**: Trench
### 适用领域和模块
1. **电源管理**：B418L-VB适用于高功率电源管理系统，包括高电压DC-DC转换器和电源适配器。其低导通电阻和高电流处理能力能够提升电源系统的效率和稳定性，适合在高电压和高电流负载下运行。
2. **电动汽车**：在电动汽车的电池管理和电动驱动系统中，B418L-VB能够处理高电流负载并提供稳定的开关性能，有助于优化电动汽车的整体性能和提高电池使用寿命。
3. **开关电源**：在需要高电流和高电压的开关电源应用中，这款MOSFET能够有效地管理负载，确保电源系统的高效能和可靠性，特别是在复杂电源设计中能够提供稳定的开关控制。
4. **工业自动化**：在工业自动化设备中，B418L-VB可用于高功率开关应用，如电机驱动和负载控制系统，其高电流和低导通电阻特性保证了设备在高负载条件下的稳定运行和高效能。
