AULR024N-VB一种TO252封装Single-N-Channel场效应管
2025-01-06
### AULR024N-VB MOSFET产品简介
AULR024N-VB是一款高性能单N沟道MOSFET，封装形式为TO252。该MOSFET采用Trench技术，专为需要高电流和高电压支持的应用设计。AULR024N-VB具有较低的导通电阻和良好的开关性能，适合用于各种功率管理和电源转换系统，能够在高负载条件下提供稳定可靠的性能。
### AULR024N-VB详细参数说明
- **封装类型**: TO252
- **极性**: 单N沟道
- **漏源电压（VDS）**: 60V
- **栅源电压（VGS）**: ±20V
- **阈值电压（Vth）**: 1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**:
- 85mΩ @ VGS=4.5V
- 73mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）**: 18A
- **技术**: Trench（沟槽技术）
### 适用领域和模块举例
1. **电源管理系统**：
- 在DC-DC转换器和电源调节器中，AULR024N-VB的低导通电阻和高电流承载能力能够提高电源转换效率，减少功率损耗。特别适用于需要高效能和稳定性的电源管理和调节系统。
2. **电动汽车（EV）**：
- 在电动汽车的电池管理系统和电机控制模块中，AULR024N-VB能够处理较高电流负载，其低导通电阻和高电流承载能力支持电动机的高效运行和电池的稳定管理，提升整体系统的效率和可靠性。
3. **工业自动化**：
- 在工业自动化设备中，如变频器和伺服驱动器，AULR024N-VB的高电流处理能力和低导通电阻确保了设备的高效运行，适合用于要求高功率和高可靠性的工业控制系统。
4. **电力转换设备**：
- 在逆变器和电源模块中，AULR024N-VB能够提高能量转换效率，减少能量损耗。其高电流承载能力和良好的开关性能使其适用于高功率和高效能的电力转换应用。
5. **消费电子**：
- 在消费电子产品的电源模块中，如电源适配器和充电器，AULR024N-VB的高电流承载能力和低导通电阻能够确保设备的稳定运行和高效能，适合用于各种电子设备的电源管理。
AULR024N-VB的设计使其在处理高电流和高功率应用时表现优异，能够满足高效能和高可靠性的需求。
