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BSC042NE7NS3 G-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
### 产品简介
BSC042NE7NS3 G-VB是一款高性能单管N沟道MOSFET，封装形式为DFN8 (5x6)。该MOSFET提供80V的漏极-源极耐压、20V的栅极-源极耐压，并具有3V的门槛电压。采用Trench技术制造，具有较低的导通电阻，适用于中高电流的开关和电源管理应用。
### 参数说明
- **型号**: BSC042NE7NS3 G-VB
- **封装**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 单管N沟道
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: 80V
- **栅极-源极耐压 (VGS)**: ±20V
- **门槛电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 4.5V栅极驱动下: 7mΩ
- 10V栅极驱动下: 5mΩ
- **漏极电流 (ID)**: 60A
- **技术**: Trench技术
### 应用领域
BSC042NE7NS3 G-VB适用于以下领域和模块：
1. **电源管理**: 适用于高效电源管理系统，能够处理高电压和中高电流，降低功率损耗。
2. **DC-DC转换器**: 在DC-DC转换器中作为开关元件，以支持高电流和高效率转换。
3. **电动汽车**: 适用于电动汽车的电池管理系统及电机驱动系统，提供高效的开关性能。
4. **功率放大器**: 用于需要高电压和低导通电阻的功率放大器和高功率开关应用。
此MOSFET的高漏极-源极耐压和低导通电阻特性使其在要求高效和高可靠性的高电压应用中表现出色。
