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25P03LG-VB一款P沟道TO252封装MOSFET应用分析
2024-02-22
型号：25P03LG-VB
丝印：VBE2338
品牌：VBsemi
参数：
- P沟道
- 最大耐压：-30V
- 最大漏电流：-26A
- 静态导通电阻（RDS(ON)）：33mΩ @ 10V, 46mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压（Vth）：-1.3V
- 封装：TO252
应用简介：
25P03LG-VB是一款P沟道场效应晶体管，适用于多种功率控制和开关电路应用。其低导通电阻和耐压特性使其适用于高功率电子系统。
领域模块应用：
1. 电源管理模块：25P03LG-VB可用于高功率开关电源、稳压器等电源管理模块，以提供有效的功率控制。
2. 电机驱动模块：在电机控制和驱动电路中，这种晶体管可用于提供电机所需的高电流。
3. 高功率开关模块：适用于高功率开关模块，如电焊设备、高功率LED驱动器等。
这些特性使25P03LG-VB在高功率电子系统中具有广泛的应用。
