AP02N60I-A-HF-VB一种Single-N沟道TO220F封装MOS管
2024-12-09
### AP02N60I-A-HF-VB 产品简介
AP02N60I-A-HF-VB是一款高压单N沟道MOSFET，采用Plannar技术，封装为TO220F。它具有650V的漏源极电压和2A的连续漏极电流能力，适用于需要高电压处理能力的低电流应用场合。此器件的高阈值电压和相对较高的导通电阻限制了其在高电流应用中的适用性，更适合于需要稳定高压开关功能的场合。
### AP02N60I-A-HF-VB 详细参数说明
- **封装类型**：TO220F
- **配置**：单N沟道
- **漏源极电压（VDS）**：650V
- **栅源极电压（VGS）**：30（±V）
- **阈值电压（Vth）**：3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：1700mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流（ID）**：2A
- **技术类型**：Plannar
### 应用领域和模块举例
AP02N60I-A-HF-VB适用于以下领域和模块，为高电压低电流需求提供可靠的解决方案：
1. **电源开关**：
在高压电源开关中，如电源适配器和开关电源，AP02N60I-A-HF-VB可以用作高压开关器件，确保电源的高效转换和稳定输出。
2. **照明驱动**：
在LED照明驱动电路中，该器件可以用于高压LED驱动器和照明系统的开关控制，提供可靠的高压开关功能，确保LED灯具的稳定和长寿命。
3. **电动工具**：
在电动工具和小型电机控制电路中，AP02N60I-A-HF-VB可以作为高压开关器件，用于电动工具的马达控制和开关操作，确保设备的高效运行和可靠性。
4. **电动汽车充电桩**：
在电动汽车充电桩的高压开关电路中，该MOSFET可用于控制和保护电动汽车充电系统的高压部分，确保充电桩的安全和高效运行。
虽然AP02N60I-A-HF-VB的导通电阻较高且适用于低电流应用，但其稳定的高压性能使其在需要稳定高压开关功能的各种应用中都能发挥重要作用。
