AM30N10-50D-T1-PF-VB一种Single-N沟道TO252封装MOS管
2024-11-28
### 产品简介详述：AM30N10-50D-T1-PF-VB
**型号：** AM30N10-50D-T1-PF-VB
**封装：** TO252
**结构：** 单N沟道
**漏极-源极电压（VDS）：** 100V
**栅极-源极电压（VGS）：** ±20V
**阈值电压（Vth）：** 1.8V
**导通电阻（RDS(ON)）：** 35mΩ @ VGS=4.5V, 30mΩ @ VGS=10V
**漏极电流（ID）：** 40A
**技术：** Trench（沟槽型）
### 详细参数说明：
1. **电气特性：**
- **静态参数：**
- 漏极-源极电压（VDS）：100V
- 栅极-源极电压（VGS）：±20V
- 阈值电压（Vth）：1.8V
- 漏极-源极导通电阻（RDS(ON)）：
- 35mΩ @ VGS=4.5V
- 30mΩ @ VGS=10V
- 最大漏极电流（ID）：40A
2. **封装和配置：**
- 封装形式：TO252
- 结构类型：单N沟道
3. **技术特性：**
- 采用沟槽型MOSFET技术
### 应用示例：
该型号的MOSFET适用于以下领域和模块：
- **电源管理：** 由于其高漏极电流和低导通电阻，特别适用于功率开关和电源管理模块。
- **电动工具：** 可用于电动工具中的电机驱动，因为能够处理高电流和高电压。
- **电动车辆：** 在电动汽车的电动驱动系统中，可以提供高效率和可靠性。
- **工业自动化：** 用于控制和驱动高功率设备和机械，在工业自动化中有广泛应用。
这些示例展示了AM30N10-50D-T1-PF-VB在需要高功率、高效率和可靠性的应用中的理想选择。
