BUK6215-75C-VB一种Single-N沟道TO252封装MOS管
2025-01-15
### 一、BUK6215-75C-VB 产品简介
BUK6215-75C-VB 是 NXP Semiconductors 提供的一款高性能单 N 沟道 MOSFET，封装形式为 TO-252。这款 MOSFET 基于先进的 Trench 技术设计，具有 80V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS) 规格。其在 10V 的栅源电压下，导通电阻非常低，为 5mΩ，并且能支持高达 75A 的连续漏极电流 (ID)。这使得 BUK6215-75C-VB 非常适合高电流和低导通损耗的应用，广泛应用于电源管理、功率转换和高效开关应用中。
### 二、BUK6215-75C-VB 详细参数说明
| 参数 | 值 | 单位 |
|------------------------|--------------------------|--------|
| 产品型号 | BUK6215-75C-VB | |
| 封装 | TO-252 | |
| 配置 | 单 N 沟道 | |
| 漏源电压 (VDS) | 80 | V |
| 栅源电压 (VGS) | ±20 | V |
| 阈值电压 (Vth) | 3 | V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 5 | mΩ |
| 栅极电流 (IG) | 100 | nA |
| 连续漏极电流 (ID) | 75 | A |
| 瞬时脉冲漏极电流 (ID(pulse)) | 150 | A |
| 最大功耗 (Ptot) | 125 | W |
| 工作温度范围 | -55 至 +175 | °C |
| 存储温度范围 | -55 至 +175 | °C |
| 技术 | Trench | |
### 三、应用领域和模块示例
BUK6215-75C-VB 的高电流处理能力和低导通电阻使其在多个领域和应用中表现优异，以下是几个具体的应用示例：
1. **电源管理**：在高功率开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中，BUK6215-75C-VB 可作为高效的开关元件，降低导通损耗，提高整体电源效率。
2. **功率转换**：在工业功率转换器和逆变器中，这款 MOSFET 可以处理大电流负载，确保稳定的功率转换和系统可靠性。
3. **电动机控制**：由于其高电流能力，BUK6215-75C-VB 适用于电动汽车和工业电动机驱动系统中，能够高效控制电机的启动、运行和停止。
4. **电池管理**：在电池管理系统 (BMS) 中，这款 MOSFET 能够处理高电流负载，提供过流保护和电池切换功能，增强电池系统的安全性。
这些应用示例展示了 BUK6215-75C-VB 在高电流、高效开关和功率转换场景中的重要作用。
