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BSO080P03NS3 G-VB一种SOP8封装Single-P-Channel场效应管
2025-01-09
### 产品简介
BSO080P03NS3 G-VB 是一款高性能单通道 P 沟道 MOSFET，封装为 SOP8，专为低电压、高电流应用设计。其具备 -30V 的漏极-源极耐压、±20V 的栅极-源极耐压和 -3V 的栅极阈值电压。该 MOSFET 在 4.5V 的栅极驱动电压下，导通电阻为 8mΩ，在 10V 的栅极驱动电压下为 5mΩ。最大漏极电流为 -18A，采用 Trench 技术制造，确保了优异的开关性能和低导通电阻。
### 参数说明
- **型号**: BSO080P03NS3 G-VB
- **封装**: SOP8
- **配置**: 单通道 P 沟道 MOSFET
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: -30V
- **栅极-源极耐压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: -3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 8mΩ @ VGS = 4.5V
- 5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: -18A
- **技术**: Trench 技术
### 应用领域
BSO080P03NS3 G-VB 适用于以下领域和模块：
- **电源管理**: 在高电流电源模块中作为开关元件，优化电源的开关控制和负载切换。
- **电池管理**: 在电池保护和电源切换应用中，提供可靠的开关控制，确保电池安全。
- **消费电子**: 在智能手机、平板电脑和便携式设备中用于电源开关，支持高效的电流管理。
- **汽车电子**: 适用于汽车电源管理系统中，处理高电流负载的开关操作，提升系统的稳定性和效率。
