AP18T10GI-VB一种TO220F封装Single-N-Channel场效应管
2024-12-12
### 一、产品简介
AP18T10GI-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用TO220F封装。它具备正高压漏源电压和优秀的导通特性，适用于需要高效电力控制和保护的应用场景。这款MOSFET设计精良，能够提供可靠的开关性能和稳定的电流控制，适合广泛的工业和消费电子设备。
### 二、详细参数说明
- **封装类型**: TO220F
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 86mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 18A
- **技术类型**: Trench
### 三、适用领域和模块举例
1. **电源管理**：AP18T10GI-VB适用于各类电源管理系统，如开关电源和电池管理。其低导通电阻和高漏极电流能够有效提升电力转换效率，保护设备免受电压变化的影响。
2. **电动汽车充电设备**：在电动汽车充电桩中，这款MOSFET可以用作功率开关控制器，确保稳定高效的电力传输和安全的充电过程。其高电压承受能力和稳定性使其成为电动汽车充电设备的理想选择。
3. **工业自动化**：在工业控制系统中，AP18T10GI-VB可用于各种需要正高压控制和电源管理的应用，如PLC（可编程逻辑控制器）、工业变频器和自动化机器人。其高电压承受能力和低功耗特性有助于提高设备的稳定性和效率。
4. **LED照明驱动**：这款MOSFET还可以用于LED照明系统中的电流控制和驱动模块。其稳定的开关特性和低损耗设计能够提升LED照明系统的能效和寿命，适用于室内和室外的高亮度LED照明。
通过其优异的电气特性和广泛的应用领域，AP18T10GI-VB适合于多种电子设备和系统，特别是需要正高压控制和稳定性的电力电子应用。
