BUK556-60H-VB一种Single-N沟道TO220封装MOS管
2025-01-15
### 产品简介
BUK556-60H-VB 是一款高性能单 N 沟道 MOSFET，采用 TO220 封装。这款器件采用沟槽技术，具有非常低的导通电阻和高电流处理能力，使其在高功率和高效率应用中表现出色。适合用于要求高电流、低功耗和高可靠性的电路中。
### 详细参数说明
- **型号**: BUK556-60H-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 13mΩ @ VGS = 4.5V
- 11mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 60A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块示例
1. **高效电源管理系统**：由于其低导通电阻和高电流能力，BUK556-60H-VB 是高效开关电源 (SMPS) 的理想选择，有助于提高电源转换效率，减少能量损失。
2. **电机控制**：这款 MOSFET 可以应用于高功率电机驱动模块，提供稳定的电流控制和低功耗操作，特别适合用于工业自动化和电动工具。
3. **电池管理系统**：在电池管理系统中，BUK556-60H-VB 的低导通电阻可以优化电池充放电过程，提高整体系统的能效和可靠性。
4. **光伏逆变器**：该 MOSFET 适用于光伏逆变器的功率开关部分，因其优越的电流处理能力和低导通电阻，能有效提升光伏系统的整体性能。
5. **高频 DC-DC 转换器**：BUK556-60H-VB 适合用于需要高开关频率和高电流处理的 DC-DC 转换器应用，如通信设备和便携式电子产品，能够提高转换效率并减少功耗。
