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BSC057N08NS3 G-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
### 产品简介
**BSC057N08NS3 G-VB** 是一款高电压和高电流单N沟道MOSFET，采用Trench技术制造，封装形式为DFN8 (5x6)。这款MOSFET设计用于高功率和高电压的应用，具有80V的漏源电压（VDS）和最大20V的栅源电压（VGS）。其低导通电阻确保在高电流条件下具有高效能和可靠性，适合用于电源管理和电动驱动等多种应用场景。
### 参数说明
- **型号**: BSC057N08NS3 G-VB
- **封装**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压（VDS）**: 80V
- **栅源电压（VGS）**: ±20V
- **阈值电压（Vth）**: 3V
- **导通电阻（RDS(ON)）**:
- 7mΩ @ VGS = 4.5V
- 5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流（ID）**: 60A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
**BSC057N08NS3 G-VB** 适用于以下领域和模块：
1. **高压电源管理**: 适合用于80V电源转换器和DC-DC转换器，通过降低功率损耗，提高系统效率和稳定性。
2. **电动驱动系统**: 用于电动汽车和工业电动机驱动，处理高电流和高电压负载，确保系统稳定运行和高效能。
3. **开关电路**: 在高功率开关电路中，如逆变器和电源开关模块，提供稳定的开关性能和低导通电阻，优化系统性能。
4. **工业自动化**: 用于高电压工业设备中，能够处理高电流应用，提升系统的可靠性和耐用性。
该MOSFET的高电压和大电流处理能力，使其在多个高负载、高功率应用场景中表现优异。
