AP9468GJ-VB一种Single-N沟道TO251封装MOS管
2024-12-20
### AP9468GJ-VB 产品简介
AP9468GJ-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用先进的Trench技术，封装在TO251中。它具有低导通电阻和高电流承载能力，适合要求高功率和高效能的应用场合。
### AP9468GJ-VB 详细参数说明
- **封装类型**: TO251
- **配置**: 单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 40V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 6.5mΩ @ VGS = 4.5V
- 5mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 85A
- **技术类型**: Trench
### AP9468GJ-VB 适用领域和模块
AP9468GJ-VB 的优异特性使其在多种高功率和高效能的应用中具有广泛的适用性：
1. **电源逆变器**: 在工业用逆变器和太阳能逆变器中，AP9468GJ-VB 可以提供低导通电阻和高电流承载能力，实现高效的电能转换和稳定的输出。
2. **电动工具**: 作为电动工具中电机驱动电路的一部分，AP9468GJ-VB 可以提供强大的电流控制和高效的功率传输，确保工具的高效能运行。
3. **电动车辆**: 在电动车辆的电池管理系统和电机驱动中，AP9468GJ-VB 可以用于电池充放电管理、驱动控制和高功率负载管理，提供稳定的动力输出和长时间的使用寿命。
4. **工业自动化**: 在工业控制系统和自动化设备中，AP9468GJ-VB 可以应用于电源管理、电机控制和各种负载开关应用，确保设备的稳定性和高效能运行。
5. **电池管理系统**: 在各种需要高效电池管理和充放电控制的系统中，AP9468GJ-VB 可以提供快速响应和精确控制，确保电池的安全和长寿命。
这些应用领域展示了AP9468GJ-VB 在要求高功率密度、高效率和可靠性的现代电子设备和系统中的重要作用，是工程师在设计高性能电路时的理想选择。
