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IRF840APBF-VB一款N沟道TO220封装MOSFET应用分析
2024-02-21
详细参数说明：
型号：IRF840APBF-VB
丝印：VBM15R13
品牌：VBsemi
参数：
- 类型： N沟道场效应管（N-Channel MOSFET）
- 最大电压：500V
- 最大电流：13A
- 静态电阻：660mΩ@10V, 20Vgs（±V）
- 阈值电压：3.1V
- 封装类型：TO220
应用简介：
IRF840APBF-VB是一款强大的N沟道场效应管，具有较高的电压和电流承载能力。其低静态电阻和高阈值电压使其在各种应用领域中表现优秀。
该产品可以广泛应用于以下领域模块：
1. 电源模块：IRF840APBF-VB可用于高功率电源模块中，例如电力逆变器、开关电源和充电器等。
2. 高压驱动：由于其最大电压为500V，可以用于高压电路中的电机驱动，例如步进电机驱动器和直流电机驱动器。
3. 照明控制：IRF840APBF-VB适用于照明系统中的调光控制器和开关控制器模块，能够提供可靠的开关性能和高效的能量转换。
4. 电动汽车充电桩：该产品还可应用于电动汽车充电桩中，通过控制充电电流，确保电动汽车的安全充电。
总而言之，IRF840APBF-VB是一款多功能的N沟道场效应管，适用于电源、高压驱动、照明控制和电动汽车充电桩等领域的模块。它具有优异的性能和可靠性，可满足各种应用需求。
