深圳市微碧半导体有限公司

### AP05N50EI-HF-VB 产品简介

AP05N50EI-HF-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用 TO220F 封装，由 VBsemi 公司生产。它具有高漏源电压和低导通电阻特性，适用于高功率应用和要求高效能转换的电子系统。

### AP05N50EI-HF-VB 参数说明

- **封装类型**：TO220F

- **配置**：单通道 N 沟道

- **漏源电压 (VDS)**：650V

- **栅源电压 (VGS)**：30V（±）

- **阈值电压 (Vth)**：3.5V

- **导通电阻 (RDS(ON))**：1100mΩ @ VGS = 10V

- **漏极电流 (ID)**：7A

- **技术**：平面技术（Plannar）

AP05N50EI-HF-VB.pdf

### 适用领域和模块

#### 电源供应和逆变器

AP05N50EI-HF-VB 可以作为电源供应和逆变器中的关键部件，用于工业和消费电子设备的功率开关和能量转换。其低导通电阻和高电压容忍能力，适合于需要高效率和长期稳定运行的应用。

#### 电动车辆和充电系统

在电动车辆和充电系统中，AP05N50EI-HF-VB 可以用作电动马达控制器和电池充电器的功率开关器件。其高电流承载能力和可靠性，能够支持电动车辆的高效能驱动和快速充电需求。

#### 太阳能和风能转换系统

作为太阳能和风能转换系统中的逆变器和功率放大器，AP05N50EI-HF-VB 能够帮助提高能源转换效率和系统稳定性。其适应复杂的电力环境和高功率输出要求。

#### 工业自动化和机器人控制

在工业自动化和机器人控制系统中，AP05N50EI-HF-VB 可以用于高速开关和精确控制要求的应用。其快速响应和可靠性，确保了设备在各种工作条件下的稳定运行和长寿命。

#### 高频电源模块

由于其平面技术和低导通电阻，AP05N50EI-HF-VB 适用于需要高频开关操作的电源模块，如通信设备中的功率放大器和射频发射器。它能够提供高效能的能量转换和电力管理解决方案。