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NTGS3136PT1G-VB一款P沟道SOT23-6封装MOSFET应用分析
2024-02-21
型号：NTGS3136PT1G-VB
丝印：VB8338
品牌：VBsemi
参数：
- P沟道
- 最大耐压：-30V
- 最大漏电流：-4.8A
- 静态导通电阻（RDS(ON)）：49mΩ @ 10V, 54mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压（Vth）：-1V to -3V
- 封装：SOT23-6
应用简介：
NTGS3136PT1G-VB是一款P沟道场效应晶体管，适用于多种低功率电子应用。它具有较低的导通电阻和适度的耐压特性，适合用于低功耗设备和控制电路。
领域模块应用：
1. 低功率电源模块：NTGS3136PT1G-VB可用于低功耗设备的电源管理，如便携式电子设备、传感器节点等。
2. 信号开关：适用于开关信号和控制电路，如信号开关、多路复用器等应用。
3. 低功耗模块：在需要较低功耗的模块中，如待机模式、电池供电设备，可起到关键作用。
这些特性使NTGS3136PT1G-VB在低功率电子领域中有广泛的应用。
