AP1203AGMT-HF-VB一种DFN8(5X6)封装Single-N-Channel场效应管
2024-12-10
### 一、产品简介
AP1203AGMT-HF-VB 是一款由 VBsemi 生产的单个 N 沟道 MOSFET，采用 DFN8(5X6) 封装。该产品具有低漏源电压（VDS = 30V）和极低的导通电阻，适合于高性能功率开关和电源管理应用。采用了先进的沟槽技术（Trench Technology），能够在低栅极驱动电压下提供优异的性能和可靠性。
### 二、详细的参数说明
- **型号**: AP1203AGMT-HF-VB
- **封装类型**: DFN8(5X6)
- **配置**: 单个 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS = 4.5V
- 7mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 80A
- **技术类型**: 沟槽技术（Trench Technology）
### 三、应用领域和模块示例
AP1203AGMT-HF-VB 在多个应用领域中具有广泛的应用：
1. **电动工具和电机驱动**：
- 由于其高电流和低导通电阻特性，适用于驱动电动工具中的高功率电机，提高工具的性能和寿命。
2. **电源管理模块**：
- 在需要高效能和高电流处理能力的电源管理系统中，如服务器电源、电池管理系统和工业电源模块中，能够提供稳定的功率转换和管理。
3. **车载电子**：
- 在汽车电子系统中，可以用于电动汽车的电池管理和功率转换，支持快速充电和高效能量利用。
4. **服务器和数据中心**：
- 在数据中心和服务器设备中，AP1203AGMT-HF-VB 可以用于高效能电源供应和管理，提升数据处理和存储设备的运行效率。
5. **工业自动化**：
- 在工业控制系统中，特别是需要快速开关和高电流驱动的应用中，如电机控制、传感器驱动和工业自动化设备，能够确保设备的高效运行和稳定性。
通过以上应用示例，可以看出 AP1203AGMT-HF-VB 在高功率和高效能电源管理领域中具有显著的应用潜力，能够满足复杂系统的需求，并提升系统的性能和可靠性。
