BSP107-VB一种Single-N沟道SOT223封装MOS管
2025-01-09
### 产品简介
**BSP107-VB** 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，封装类型为 SOT223。这款 MOSFET 采用 Trench 技术，设计用于高电压应用。其最大漏源极电压（VDS）为 200V，门源极电压（VGS）最大为 ±20V，能够在高电压环境下稳定工作。BSP107-VB 的导通电阻（RDS(ON)）在 VGS 为 10V 时为 1200mΩ，适合需要较高电压和中等电流的应用。该 MOSFET 的最大漏极电流（ID）为 1A，能够处理适中的电流负载。
### 详细参数说明
- **型号**: BSP107-VB
- **封装**: SOT223
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 200V
- **门源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 1200mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 1A
- **技术**: Trench 技术
### 应用领域和模块举例
1. **高电压开关**:
BSP107-VB 在高电压开关应用中表现良好，适合用于需要处理高电压的开关电路，如电源开关和电压保护电路。其高漏源极电压能力使其能够在高电压环境下稳定运行。
2. **电源管理**:
在电源管理模块中，BSP107-VB 可以用于高电压电源的开关控制。尽管其导通电阻较高，但在高电压应用中，它能够提供可靠的开关功能，保证电源管理系统的稳定性。
3. **电压调节器**:
在高电压电压调节器应用中，BSP107-VB 可用于调节电压并提供开关控制。其高电压承受能力使其适用于需要高电压处理的调节器设计中。
4. **功率保护**:
在功率保护电路中，BSP107-VB 可以用作保护元件，防止过压和过流情况。其高漏源极电压和中等电流能力使其能够有效保护电路免受高电压损害。
这款 MOSFET 的高电压处理能力使其在高电压开关、电源管理和电压调节器等应用中表现出色。尽管其导通电阻较高，但在需要高电压控制的场合仍能提供可靠的性能。
