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AP18N20GH-VB一种Single-N沟道TO252封装MOS管
2024-12-10
### 1. 产品简介：
AP18N20GH-VB 是一款单N沟道功率场效应管（Power MOSFET），采用TO252封装。它具有高压耐受能力（最大200V VDS）、低导通电阻（RDS(ON)最小为55mΩ@VGS=10V）、以及30A的漏极电流能力。采用Trench技术，这款器件专为高效能和高可靠性的功率控制应用设计，适用于多种高压环境。
### 2. 参数说明：
- **型号：** AP18N20GH-VB
- **封装：** TO252
- **配置：** 单N沟道
- **最大漏极-源极电压（VDS）：** 200V
- **最大栅极-源极电压（VGS）：** ±20V
- **阈值电压（Vth）：** 3V
- **导通电阻（RDS(ON)）：** 55mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）：** 30A
- **技术：** Trench
### 3. 应用举例：
AP18N20GH-VB 在以下领域和模块中有广泛应用：
- **电源转换器：** 适用于高压DC-DC变换器和AC-DC开关电源，提供高效能和稳定的功率转换。
- **电动汽车：** 在电动汽车的电池管理系统（BMS）和电动驱动系统中，支持高压和大电流应用。
- **工业控制：** 用于工业自动化设备和高功率马达驱动电路中，保证设备的高效能和高可靠性。
- **光伏逆变器：** 在太阳能光伏发电系统中，支持逆变器的高效能转换和高压管理。
- **通信设备：** 在基站电源和大功率通信设备中，确保稳定的电源管理和高效能操作。
这些例子展示了 AP18N20GH-VB 在多个高功率应用中的广泛应用，其优异的性能特性使其成为多种电子设备和系统中的理想选择。
