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AP5321GM-VB一种Dual-N+N沟道SOP8封装MOS管
2024-12-17
### AP5321GM-VB 产品简介
AP5321GM-VB是一款高性能、低导通电阻的双N+N通道MOSFET，封装为SOP8。采用先进的Trench技术制造，设计用于高压和中等电流的功率开关应用。
### 详细的参数说明
- **型号**: AP5321GM-VB
- **封装形式**: SOP8
- **配置**: 双N+N通道
- **漏源电压 (VDS)**: 100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 63mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 5.8A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
AP5321GM-VB适用于以下多种领域和模块，包括但不限于：
1. **电源管理**
- **电源开关**: 在工业电源、电力传输系统和电动车充电器中，用作高压开关元件，实现高效的电能转换和控制。
2. **电动车辆充电**
- **电动汽车和混合动力车**: 在电动车辆充电桩和充电站中，作为高压开关以支持快速充电和高效能电能管理。
3. **工业自动化**
- **工业控制系统**: 用于工业自动化系统中的高压电源管理和控制，如机器人、自动化生产线等。
4. **电力传输**
- **高压直流输电（HVDC）**: 在高压直流输电系统中，用于开关和调节电能流动，提高能源传输效率和稳定性。
AP5321GM-VB通过其高压耐受能力、低导通电阻和稳定的性能特性，为各种需要高压功率开关解决方案的应用提供了可靠的电子元件选择。
