AP2R803GH-VB一种Single-N沟道TO252封装MOS管
2024-12-12
### AP2R803GH-VB 产品简介
AP2R803GH-VB 是一款高性能的单N沟道功率MOSFET，采用TO252封装，具备优异的导通特性和耐压能力。该型号设计适用于需要高电流和低导通电阻的应用场合，如电源管理、电机驱动和电动车辆控制等领域。
### AP2R803GH-VB 详细参数说明
- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3mΩ @ VGS = 4.5V
- 2mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 100A
- **技术类型**: Trench 结构
### 应用领域和模块举例
AP2R803GH-VB 在以下领域和模块中展示出色的应用性能：
1. **电源管理**: 由于其极低的导通电阻和高电流能力，适用于高效率的开关电源和直流-直流转换器，如笔记本电脑适配器和工业电源设备。
2. **电机驱动**: 在工业和汽车电动机控制中，AP2R803GH-VB 可用于作为电机驱动器的功率开关，支持高功率输出和快速响应的电动机启停。
3. **电动车辆**: 在电动汽车和混合动力车辆中，该型号可以用于电动车辆控制单元（ECU）中的功率开关，确保高效能量转换和电池管理。
4. **电子设备**: 在各种电子设备和消费类电子产品中，AP2R803GH-VB 可以用于高功率密度的电源管理电路，提供稳定的电源输出和节能的操作。
5. **LED照明**: 在高亮度LED照明系统中，该MOSFET可用于LED驱动电路，帮助实现精确的亮度控制和长寿命的照明解决方案。
通过在这些关键领域中广泛应用AP2R803GH-VB，可以实现高效能的能量转换和稳定的电路控制，提升设备的性能和可靠性。
