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B411L-VB一种TO263封装Single-P-Channel场效应管
2025-01-07
### 产品简介
B411L-VB 是一款高性能单通道 P 沟道 MOSFET，封装类型为 TO263。此 MOSFET 能承受高达 -60V 的漏源电压，并且支持最大 -110A 的漏极电流。采用 Trench 工艺，具有低导通电阻，适合用于高电流和高功率的负载切换。
### 详细参数说明
- **型号**: B411L-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单通道 P 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: -60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: -3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 8.5mΩ @ VGS = 4.5V
- 6.5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: -110A
- **技术**: Trench 工艺
### 适用领域和模块
B411L-VB 适用于以下领域：
1. **电源管理**: 在负载开关和电源转换器中作为高效的功率开关，提供低导通电阻和高电流处理能力。
2. **汽车电子**: 适合用于汽车电气系统中的负载开关，如电动座椅和车灯控制，因其高电流能力和低导通电阻能确保系统的稳定性和可靠性。
3. **电力电子**: 用于高功率电源设备中，如逆变器和电源调节器，处理高电流负载和功率需求。
4. **工业控制**: 在高功率自动化控制系统中作为负载开关，提供高效的电源切换和控制功能。
