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SUD50P06-15L-GE3-VB一款P沟道TO252封装MOSFET应用分析
2024-01-08
型号: SUD50P06-15L-GE3
丝印: VBE2625
品牌: VBsemi
参数说明:
- MOSFET类型: P沟道
- 额定电压(VDS): -60V
- 额定电流(ID): -50A
- 开通电阻(RDS(ON)): 20mΩ@10V, 25mΩ@4.5V
- 阈值电压(Vth): -1.76V
- 封装类型: TO252
应用简介:
这款SUD50P06-15L-GE3 MOSFET是一款P沟道类型的高功率MOSFET，适用于负极性电源应用场景。它具有高额定电压和额定电流能力，适用于需要高功率开关和功率转换的应用。
这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块：
- 电源管理模块：用于负极电源开关、DC-DC变换器、逆变器等高功率电源模块。
- 电机控制模块：用于负极直流电机驱动、步进电机驱动等高功率电机控制。
- 汽车电子模块：用于汽车电池管理、照明控制、负极电源开关等高功率汽车电子模块。
- 通信设备模块：用于高功率广播设备、通信设备中的功率放大和开关模块。
总之，SUD50P06-15L-GE3 MOSFET适用于需要P沟道MOSFET进行高功率开关和功率转换的各种应用场景，提供稳定可靠的电流控制和功率转换功能，特别适用于负极电源应用。
