APM2016NUC-TRL-VB一种Single-N沟道TO252封装MOS管
2024-12-25
### 1. 产品简介
APM2016NUC-TRL-VB 是一款单通道 N 沟道功率 MOSFET，采用槽沟技术，封装为 TO252。该器件设计用于低压高电流应用，具有低导通电阻和高漏极电流能力，适合要求高效能管理和高功率密度的电路设计。
### 2. 参数说明
- **型号**: APM2016NUC-TRL-VB
- **封装**: TO252
- **通道类型**: 单 N 沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 20V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS = 2.5V
- 4.5mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏极电流 (ID)**: 100A
- **技术**: 槽沟技术 (Trench)
### 3. 应用示例
APM2016NUC-TRL-VB 可以在以下领域和模块中得到应用：
- **电源管理**: 适用于低压、高电流的电源管理系统中，如服务器电源转换器、电池管理系统和工业电源模块，以提供稳定的电力输出和高效的能量转换。
- **电动工具**: 在高功率电动工具的电池管理和电机控制中，APM2016NUC-TRL-VB 可以作为开关器件，确保设备的高效能输出和长时间运行。
- **汽车电子**: 在汽车电子控制单元 (ECU) 的电源管理和电动马达控制器中，APM2016NUC-TRL-VB 可以提供快速响应的功率开关和稳定的电路控制，确保车辆电子系统的可靠性和性能。
- **工业自动化**: 在工业自动化设备中的电源转换器和电机驱动器中，APM2016NUC-TRL-VB 可以应用于需要高效能管理和大电流处理的场合，提高设备的运行效率和可靠性。
这些示例展示了 APM2016NUC-TRL-VB 在高电流、低压的应用环境中的广泛适用性，特别适合要求高功率密度和稳定性能的电子设备和系统。
