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FDD6637-VB一款P沟道TO252封装MOSFET应用分析
2024-01-09
型号: FDD6637
丝印: VBE2309
品牌: VBsemi
参数说明:
- MOSFET类型: P沟道
- 额定电压(VDS): -30V
- 额定电流(ID): -60A
- 开通电阻(RDS(ON)): 9mΩ@10V, 12mΩ@4.5V
- 阈值电压(Vth): -1.71V
- 封装类型: TO252
应用简介:
这款FDD6637 MOSFET是一款高功率P沟道MOSFET，适用于需要高功率开关和控制的应用。它具有较高的额定电流和适中的额定电压能力，适用于高功率开关和功率转换的应用。
这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块：
- 电源管理模块：适用于高功率开关电源、DC-DC变换器、逆变器等功率转换模块。
- 电机控制模块：适用于高功率直流电机驱动、步进电机驱动等电机控制模块。
- 汽车电子模块：适用于汽车电池管理、照明控制、电动车控制等高功率汽车电子模块。
- 高功率LED照明模块：适用于高功率LED照明驱动和控制模块。
总之，FDD6637 MOSFET适用于需要高功率P沟道MOSFET的各种应用场景，提供稳定可靠的大电流控制和功率转换功能。
