AOTF4N90-VB一种Single-N沟道TO220F封装MOS管
2024-12-09
### AOTF4N90-VB 产品简介
**型号：** AOTF4N90-VB
**封装：** TO220F
**配置：** 单N沟道MOSFET
**技术：** 平面技术（Plannar）
AOTF4N90-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用平面技术设计，具有高电压承受能力和可靠性。其TO220F封装设计适合于需要处理高电压的应用，并提供良好的散热性能。
### 详细参数说明
- **漏极-源极电压（VDS）：** 950V
- **栅极-源极电压（VGS）：** ±30V
- **阈值电压（Vth）：** 3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）：** 2400mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流（ID）：** 6A
- **技术：** 平面技术（Plannar）
### 应用领域和模块举例
1. **电源逆变器：** AOTF4N90-VB适用于电源逆变器中的高压开关电源单元，例如工业用逆变器和太阳能逆变器，能够处理高电压直流至交流电的转换，提升能源利用效率。
2. **电动车充电器：** 在电动车充电器中，AOTF4N90-VB作为高压开关器件，用于控制和管理充电器的电源转换，确保充电效率和安全性。
3. **医疗设备电源：** 在医疗设备中，特别是需要处理高压和高效能量转换的电源管理模块中，AOTF4N90-VB能够提供稳定的电力输出和可靠的电源控制。
4. **工业高压电源系统：** 该MOSFET适用于工业高压电源系统的开关电源单元，如用于工业自动化设备和大型电力设备中的电源管理和控制。
5. **UPS系统：** 在不间断电源系统中，AOTF4N90-VB可用于高压开关电源单元，确保UPS在电网故障时能够提供持续稳定的电力输出。
AOTF4N90-VB MOSFET通过其高电压承受能力和优异的性能，在多个领域的高压功率开关和电源管理应用中发挥着重要作用，为电子系统的设计和性能优化提供了可靠解决方案。
