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BSS123-7-F-VB一种Single-N沟道SOT23-3封装MOS管
2025-01-09
### 产品简介
**BSS123-7-F-VB** 是一款高耐压单 N-Channel MOSFET,封装形式为 SOT23-3。该 MOSFET 采用 Trench 技术,能够在较高的漏源电压下稳定工作,适用于要求高耐压和低功耗的开关应用。
### 详细参数说明
- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单 N-Channel
- **漏源电压 (V_DS)**: 100V
- **栅源电压 (V_GS)**: ±20V
- **阈值电压 (V_th)**: 1.5V
- **导通电阻 (R_DS(on))**:
- 3000mΩ @ V_GS = 4.5V
- 2800mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏电流 (I_D)**: 0.26A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
1. **高耐压开关电源**: BSS123-7-F-VB 适用于高耐压开关电源中作为开关元件,能够在较高的电压条件下稳定工作,确保电源系统的可靠性。
2. **电源管理**: 在电源管理系统中,用作开关或调节元件,适合用于高电压电源调节和保护电路。
3. **低功耗开关**: 适用于低功耗开关应用,如信号开关和低电流控制,能够有效控制低功耗负载。
4. **电子设备保护**: 用于各种电子设备中,例如过压保护电路,帮助保护电路免受高电压冲击。